IXBH12N300 دیتاشیت

IXB(H,T)12N300

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXB(H,T)12N300
حجم فایل 233.833 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXB(H,T)12N300

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 30A
  • Power Dissipation (Pd): 160W
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 62nC
  • Pulsed Collector Current (Icm): 100A
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 1.4us
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 3000V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 3.2V@15V,12A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: IXYS
  • Series: BIMOSFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • IGBT Type: -
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 30A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 100A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
  • Power - Max: 160W
  • Switching Energy: -
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 62nC
  • Td (on/off) @ 25°C: -
  • Test Condition: -
  • Reverse Recovery Time (trr): 1.4µs
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-247-3
  • Supplier Device Package: TO-247AD (IXBH)
  • detail: IGBT 3000V 30A 160W Through Hole TO-247AD (IXBH)

محصولات مشابه